收藏本站
VMO 1600-02P
Source Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V SD
t rr
Q rr
I RM
t rr
Q rr
I RM
I F = 1600 A; V GS = 0 V;
V DS = 100 V; I F = 1600 A
dV F /dt = 1300 A/μs
V DS = 100 V; I F = 1600 A
dV F /dt = 1300 A/μs
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
1.17
1.13
340
40
210
380
56
250
V
V
ns
μC
A
ns
μC
A
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
°C
°C
V ISOL
M d
I ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
mounting torque (M6)
teminal connection torque (M6)
3600
2.25 - 2.75
4.5 - 5.5
V~
Nm
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
Weight
min.
typ.
250
max.
g
Ordering
Part Name
Marking on
Product
Delivering
Mode
Base
Qty
Code Key
Standard
VMO 1600-02P VMO 1600-02P
Box
2
504288
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100302b
2-6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
VMO550-01F MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
VMO580-02F MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
VMO60-05F MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
VMO650-01F MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
VN101503 SENSOR HALL EFF MOLDED VANE 3PIN
VN10LPSTOB MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
VN2222LL MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
VP1TTB11RR00000 CONTURA ILL INDICATOR 12V RED
相关代理商/技术参数
VMO380-02F 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSTMFET Module
VMO400-02F 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSFET Module
VMO40-05P1 功能描述:MOSFET N-CH ECO-PAC2 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:- 标准包装:10 系列:*
VMO450-02F 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 450A I(D)
VMO500-02F 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 500A I(D)
VMO550-01F 功能描述:MOSFET 550 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VMO580-02F 功能描述:MOSFET HiperFET 200V 580A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
VMO60-05F 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube